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功率器件產(chǎn)線測(cè)試系統(tǒng)
實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)化測(cè)試過(guò)程,滿足不同器件測(cè)試對(duì)測(cè)試機(jī)的要求。

本產(chǎn)品為IGBT、SiC等功率半導(dǎo)體器件提供全套功率測(cè)試解決方案,可高效實(shí)現(xiàn)從晶圓級(jí)到最終產(chǎn)品的ISO、DC、AC等全套測(cè)試,實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)化測(cè)試過(guò)程,并配置豐富的測(cè)試接口和功能模塊選擇,滿足不同器件測(cè)試對(duì)測(cè)試機(jī)的要求。

產(chǎn)品特點(diǎn)
  • 01
    測(cè)試范圍

    AC測(cè)試:1500V/4000A,DC測(cè)試:2000V/2000A

  • 02
    測(cè)試功能

    接觸可靠性測(cè)試、ISO測(cè)試、DC測(cè)試、AC測(cè)試等

  • 03
    測(cè)試對(duì)象

    SiC/IGBT 晶圓、芯片、單管、模塊,針對(duì)不同封裝定制測(cè)試治具

  • 04
    測(cè)試過(guò)程

    全自動(dòng)化測(cè)試過(guò)程,自動(dòng)生成數(shù)據(jù)報(bào)表

  • 05
    回路雜感

    <15nH,不含待測(cè)對(duì)象及socket

  • 06
    保護(hù)功能

    過(guò)流保護(hù)閾值可設(shè)置,保護(hù)時(shí)間<2us

  • 07
    測(cè)試效率

    UPH>200,具體依據(jù)實(shí)際測(cè)試對(duì)象及測(cè)試項(xiàng)目確定

  • 08
    測(cè)試流程

    可根據(jù)具體要求對(duì)測(cè)試功能模塊進(jìn)行選擇和測(cè)試流程變更

  • 09
    運(yùn)行模式

    可根據(jù)不同測(cè)試要求選擇各功能并行或者異步模式運(yùn)行

關(guān)鍵參數(shù)

供電電源電壓220V±10%(單相+PE),50Hz±10%,10kW

測(cè)試對(duì)象SiC/IGBT 晶圓、芯片、單管、模塊

測(cè)試項(xiàng)Kelvin,ISO,SW,SC,Qg,DC,RgCg ,UIS等

AC測(cè)試最大電壓電流1500V,多脈沖 4000A,短路12000A@10us

DC測(cè)試最大電壓電流2000V,2000A

UIS測(cè)試最大電壓電流3000V,200A

RgCg測(cè)試電壓Vds:1500Vmax,Vgs :±40V

AC測(cè)試雜感<15nH,不包含被測(cè)器件及socket

AC測(cè)試過(guò)流保護(hù)<2us

測(cè)試效率UPH>200,具體依據(jù)實(shí)際測(cè)試對(duì)象及測(cè)試項(xiàng)目確定