隨著新能源發(fā)電、新能源汽車等行業(yè)的蓬勃發(fā)展，市場(chǎng)對(duì)功率半導(dǎo)體器件提出了更高的要求。針對(duì)EconoDUAL^TM3封裝模塊的特點(diǎn)，青銅劍技術(shù)推出了第二代EconoDUAL^TM3封裝高性能即插即用驅(qū)動(dòng)器2QP0225Txx-C。

圖1 2QP0225Txx-C實(shí)物圖

第二代EconoDUAL^TM3封裝即插即用驅(qū)動(dòng)器

2QP0225Txx-C是基于青銅劍技術(shù)自主研發(fā)的第二代ASIC芯片設(shè)計(jì)的雙通道、緊湊型驅(qū)動(dòng)器，可應(yīng)用在中功率、中壓、高可靠性領(lǐng)域，適用于 1700V 及以下電壓的EconDUAL^TM3封裝 IGBT 、SiC MOSFET模塊。其即插即用的特點(diǎn)使得驅(qū)動(dòng)板可直接焊接在EconoDUAL^TM3封裝模塊上，無(wú)需轉(zhuǎn)接處理。

產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)

單通道驅(qū)動(dòng)功率高達(dá) 2W

峰值電流高達(dá) ±25A

開關(guān)頻率高達(dá)200kHz

自適應(yīng)的軟關(guān)斷功能

兼容EconoDUALTM3封裝SiC MOSFET

和上一代產(chǎn)品P2P兼容

單通道驅(qū)動(dòng)功率高達(dá) 2W

2QP0225Txx-C驅(qū)動(dòng)器將單通道功率提升至2W，以滿足新一代IGBT大門極電荷的功率需求。如下圖所示，在滿功率情況下，溫升小于35K。

圖2 單通道2W滿載運(yùn)行溫升圖（環(huán)溫25℃）

峰值電流高達(dá) ±25A

驅(qū)動(dòng)器峰值電流提升至25A，滿足新一代IGBT模塊小門極電阻、高峰值電流的要求。如下圖所示，峰值電流可達(dá)25A以上。

圖3 驅(qū)動(dòng)峰值電流（Rg=0Ω）

開關(guān)頻率高達(dá)200kHz

驅(qū)動(dòng)器最高開關(guān)頻率提高至200kHz，滿足SiC MOSFET快速開關(guān)的要求。

圖4 最大200kHz工作頻率

自適應(yīng)的軟關(guān)斷功能

驅(qū)動(dòng)器集成了軟關(guān)斷保護(hù)功能，可有效抑制短路關(guān)斷時(shí)產(chǎn)生的尖峰電壓。驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部門極閉環(huán)控制，軟關(guān)斷波形智能調(diào)節(jié)，當(dāng)進(jìn)入退飽和保護(hù)時(shí)，門極會(huì)按照設(shè)定下降曲線進(jìn)行2us時(shí)長(zhǎng)的軟關(guān)斷，無(wú)需再額外增加和調(diào)節(jié)軟關(guān)斷電阻，極大的方便了客戶端調(diào)試過(guò)程。

圖5 驅(qū)動(dòng)自帶2us軟關(guān)斷保護(hù)功能

兼容EconoDUAL^TM3封裝SiC MOSFET

該驅(qū)動(dòng)器在兼容設(shè)計(jì)中集成了米勒鉗位功能，可有效防止門極誤開通

支持門極開關(guān)電壓定制，滿足不同碳化硅模塊的使用需求

短路保護(hù)響應(yīng)時(shí)間在1us~10us內(nèi)可調(diào)，滿足不同功率器件的短路耐受時(shí)間要求

附：EconoDUAL^TM3封裝的第七代IGBT模塊介紹

第七代IGBT模塊優(yōu)化了爬電距離以滿足1500V光伏需求，過(guò)溫運(yùn)行溫度提升到175℃，功率密度提升了30%，額定電流由600A提高至750A甚至900A！

圖6 英飛凌FF900R12ME7模塊

和老一代產(chǎn)品相比，第七代IGBT模塊極限開關(guān)門極電荷量更大，內(nèi)部門極電阻更小，要求驅(qū)動(dòng)器可提供更大的功率和更高的峰值電流。